胡正明

中国科学院外籍院士、微电子学家

胡正明，1947年7月12日出生于中国北京，微电子学家，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。

人物经历

1947年7月12日，胡正明出生于中国北京，祖籍江苏省金坛市城西马干村，之后前往台湾。

1968年，从台湾大学电机工程系毕业。

1969年，赴美国留学，进入加州大学伯克利分校学习。

1970年，从加州大学伯克利分校研究生毕业，获得硕士学位。

1973年，从加州大学伯克利分校研究生毕业，获得博士学位。之后前往麻省理工学院任助理教授。

1976年，任教于加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系。

1985年，应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展中国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议。

1989年—1991年，担任旧金山东湾中文学校董事长。

1996年，创办思略微电子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事长。

1997年，当选为美国国家工程院院士。

2001年—2004年，担任台积电（台湾积体电路制造股份有限公司）首任技术执行长，兼任加州大学伯克利分校台积电杰出讲座教授。

2004年，回到加州大学伯克利分校任教。

2007年，当选为中国科学院外籍院士。

2008年，担任闪迪公司（SanDisk）董事。

2014年3月，入选第四册《院士中的常州人》。

2017年，加入台湾交通大学半导体学院。

主要成就

科研成就

胡正明的主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。1999年开发出了鳍式场效应晶体管（FinFET）。

胡正明从1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。

人才培养

胡正明认为创新人才的培育，更精确地说，应该是培养能够解决问题的人才，要成为“解决问题者”所需具备的特质包括：喜欢解决问题、愿意学取新知、愿意努力工作，以及对自己有信心等，这些都是让自己成为“解决问题者”的关键因素。如此才能成就一项项的创新，无论是发明前所未有的事物，或是解决一件过去难以突破的难题。他强调，年轻人最重要的就是要有自信，“别人真心称赞你时，你要欣然接受；别人的赞美似乎不太诚恳时，你也要强迫自己相信，总而言之，你要利用每一次的机会增强自信，甚至，当没有别人赞赏你时，你也要肯定自己。 ”事实上，在不同场合中，胡正明皆多次提到肯定自己的重要性，“要对自己有信心，如此才有能量一步一步解决更困难的问题。 ”

荣誉表彰

社会任职

人物评价

胡正明是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。（中国科学院评）

胡正明在学术界和产业界都缴出亮眼成绩，是因为勇于探索未知，让他能够跨越学术、产业间的藩篱，优游在这两个领域之中；并常保好奇之心，所以从未停止学习，更难得的是胡正明始终保有谦和的初心，这使他能广为接纳新知识、新技术。（台湾清华大学原校长刘炯朗评）

人物影响

1990年胡正明在北京大学与清华大学设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。

1997年4月，胡正明与父亲胡素鸿先生、弟弟胡正大博士在金坛市第一中学设立胡氏奖助基金，用以奖励每届高中毕业生中品学兼优、家境较差而有志升大学者。

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