片式多层瓷介电容器

电容器

片式多层瓷介电容器简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

产品定义

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

片式多层瓷介电容器执行标准:

1类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21：2004)；

2类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21042-2007(IEC60384-22：2004)；

基本结构

简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下：

因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。

选用

一、片式多层瓷介电容器功能选用

片式多层瓷介电容器因为具有“隔直通交”的特性，同时它是一个储能的元件，因此在电路中常有功用有以下几个方面：　1、片式多层瓷介电容器用于储能交换　这是电容器最基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类电容器为主，在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容器和钽电解电容。　2、片式多层瓷介电容器用于隔直通交（旁路与耦合）　由于电容器并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。在交流电路中，电容器跟随输入信号的极性变化而进行充放电，从而使连接电容器两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。一般说来，与放大器或运放输入端相联电容器的为耦合电容器；与放大器或运放发射极相联的电容器为旁路电容器。两者均以Ⅱ类电容器为主，特别是0.1uF 的电容居多。　3、片式多层瓷介电容器用于鉴频滤波　在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用电容器将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的电容器将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频电容器为主。　4、用于浪涌电压的抑制　由于电容器是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。滤波主要以高频产品为主。二、片式多层瓷介电容器介质材料、容量值、容量级别的选用参考　介材料介电常数可做产品容量范围（以1206规格为例）对应容量级别COG(CG)15～901.0～2200pFB,C,D,F,G,JX7R(B)2600～36001～100nFJ,K,MZ5U(E)15000～200010～470nFM,S,ZY5V(F)15000～200010～470nFM,S,Z　注：BME（内电极为NI）同规格可做更大容量的产品。

发展趋势

为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向发展。多层片式电容器也随之迅速向前发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设备更是大量采用片式元件。

片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用最多的元件之一。随着SMT的迅速发展，其用量越来越大，仅每部流动电话中的用量就达200个之多。因此，片式多层瓷介电容器2002年全球量达4000亿只，最小尺寸为0402 ，甚至0201。

随着世界电子信息产业的迅速发展，片式电容的发展方向呈现多元化。(1)为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。(2)为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（军用通信设备居多），高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是一个重要的发展方向。 (3)为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电容器（LTCC）正成为技术研究热点。

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